|
T1G4005528-FS
|
55W, 28V, DC-3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管 |
DC - 3.5 |
15 |
47.2 |
>50% |
28 |
200 |
|
T1G6000528-Q3
|
7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管 |
DC - 6 |
10 |
39.5 |
>50% |
28 |
50 |
|
T1G6001528-Q3
|
18W, 28V, DC-6 GHz, GaN 射频功率晶体管 |
DC - 6 |
15 |
43.4 |
>50% |
28 |
50 |
|
TGF2023-01
|
6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN |
DC - 18 |
15 |
>38 |
55% |
28 - 40 |
125 |
|
TGF2023-02
|
12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN |
DC - 18 |
15 |
> 41 |
55% |
28 - 40 |
250 |
|
TGF2023-05
|
25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN |
DC - 18 |
15 |
> 44 |
55% |
28 - 40 |
500 |
|
TGF2023-10
|
SiC HEMT 50W分立功率 GaN |
DC - 18 |
15 |
> 47 |
55% |
28 - 40 |
1000 |
|
TGF2023-20
|
SiC HEMT 100W分立功率 GaN |
DC - 18 |
15 |
> 50 |
55% |
28 - 40 |
2000 |
|
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