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TriQuint针对国防和商业应用的GaN创新 |
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GaN & GaAs MMIC & 模块技术支持相位阵列雷达的需求 |
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TriQuint GaN专家Grant Wilcox与Engineering TV编辑Paul Whytock讨论新产品创新 |
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10/11 |
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针对饱和模式放大器仿真技术的探究 |
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10/11 |
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高效、宽带 50W, 28V InGaP/GaAs HBT MMIC |
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大芯片尺寸分立器件的非平衡供电影响分析 |
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10/11 |
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GaN & GaAs MMIC & 模块技术支持相位阵列雷达的需求 |
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GaAs 课程 |
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07/11 |
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半导体：市场表现良好，工作需求也在增长 |
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05/11 |
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移动互联革命意味着巨大的利润 |
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04/11 |
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TriQuint 促使 GaAs 面向大众化 |
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04/11 |
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Steve Forbes 专访：David Eiswert, 全球科技投资 |
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04/11 |
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TriQuint 成绩很难被打破 |
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04/11 |
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福特、通用、科技企业正在迈向智能车时代 |
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03/11 |
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视频专访：TriQuint 半导体公司（TQNT）总裁兼首席执行官Ralph Quinsey |
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03/11 |
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TriQuint 克服了失控的需求 |
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02/11 |
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TriQuint CEO：宽带 & 教育是关键 |
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02/11 |
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TriQuint CEO 谈论扩展计划 |
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分析家指出砷化镓发展顺利 |
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01/11 |
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DFW 如何重塑其半导体行业 |
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12/10 |
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微波和光纤推动无线回传网络的未来 |
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12/10 |
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从上观察 |
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11/10 |
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TriQuint 半导体将于年底在 Richardson 增加165 个职位 |
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11/10 |
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BAW 的创新帮助 WiFi 和 4G 实现完美的融合 |
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10/10 |
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芯片制造商增加了就业、产量 |
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最新迭代技术的半导体节省能源费用 |
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10/10 |
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来自通信技术的CATV放大器技术文章 |
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10/10 |
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中国电子报 第15版：2010年通信展特刊 |
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10/10 |
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三网融合趋势下RFoG和R-ONU有线电视系统的优化 |
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09/10 |
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采访TriQuint公司Ralph Quinsey |
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09/10 |
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手机射频前端集成经济学 |
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09/10 |
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开启“无限”通信时代 |
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09/10 |
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采访 Mike Peters |
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09/10 |
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GaAs 与 GaN 对比 |
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08/10 |
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18 GHz移动通讯回程应用需要高效1W GaAs MMIC放大器 |
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08/10 |
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TriQuint 提升 GaN-on-Si HEMT 效率 |
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08/10 |
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TriQuint公司总裁兼CEO接受华尔街简报采访 |
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07/10 |
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TriQuint功放模块配合高通3G芯片组解决方案 |
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07/10 |
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无线回传网络解决方案：微波无处不在 |
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07/10 |
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集成是开发紧凑型功放 (PA) 模块的必由之路 |
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06/10 |
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管导致电性能退化的结构性缺陷演化过程 |
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03/10 |
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提升芯片生产量 |
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02/10 |
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无线整体化设计需求 |
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01/10 |
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集成二维反射器结构的声表面波谐振器 |
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12/09 |
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TriQuint公司的 PowerBand™系列产品入选射频产品2009排行榜 |
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12/09 |
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创新与发展/TriQuint半导体诚招良才 |
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11/09 |
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多模式多频段功率放大器 |
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10/09 |
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长远规划有助于应对短期阵痛 |
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09/09 |
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毫米波器件的商业化——创新的砷化镓光刻技术 |
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06/09 |
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非线性建模加快HBT功放设计速度 （英文，中文） |
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06/09 |
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高性能微波/毫米波GaAs器件，提高3G/4G回程网络的速度和容量 （英文，中文） |
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05/09 |
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点到线的延伸：TriQuint的宽带匹配技术研究 |
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05/09 |
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重新界定大功率宽带射频设计的效率 |
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04/09 |
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TriQuint在GaAs制造领域保持领先 |
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04/09 |
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功率放大器制造商探寻模块化标准 |
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03/09 |
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TriQuint的射频放大器何以如此令人惊奇 |
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02/09 |
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TriQuint：优异品质的传统，值得信赖 |
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02/09 |
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《华尔街抄本》：TriQuint访谈录 |
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02/09 |
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2008年度TriQuint的市场份额显著增长 |
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02/09 |
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3GHz高效的宽带晶体管 |
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02/09 |
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TriQuint现身PBS电视节目 |
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02/09 |
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TriQuint的PowerBandTM新技术为宽带宽、高功率效率指定领先的新标准 |
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01/09 |
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空间应用的砷化镓 |
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01/09 |
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频率达到3GHz的功率晶体管 |
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01/09 |
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TriQuint提供高功率——宽带氮化镓技术 |
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11/08 |
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针对车载GPS应用的射频设计 |
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09/08 |
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TriQuint在砷化镓代工厂名单中名列前茅 |
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08/08 |
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体声波倒装开关滤波器设计带来尺寸的大幅减缩 |
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06/08 |
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RF模块成为手机新设计的关键 （英文，中文） |
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06/08 |
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专家建议：可调射频滤波器：追逐声波滤波器研发领域的“圣杯” |
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06/08 |
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氮化镓和砷化镓的高功率工艺为军事领域应用的提供优势 |
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05/08 |
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TriQuint白皮书：氮化镓工艺的应用 |
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04/08 |
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从激光切片工艺中得到的启示 |
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04/08 |
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消除导致EFET功放中损耗的缺陷 |
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04/08 |
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利用专门的测试装置测试界面剥的品质和可靠性 |
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04/08 |
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射频模块装配技术概况 |
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04/08 |
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使用晶片极加速寿命测试法评估器件可靠性 |
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04/08 |
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如何成为一家成功的砷化镓代工厂 |
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03/08 |
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TQP13N刊登于化合物半导体杂志 |
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03/08 |
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重新洗牌：TriQuint调整无线产品线后股票行情看涨 |
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12/07 |
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华尔街抄本：TriQuint首席执行官Ralph Quinsey访谈录（07年12月） |
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12/07 |
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高性能的BiHEMT、HBT/E-D pHEMT工艺集成化 |
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11/07 |
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准备迎接WiMax的到来 |
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11/07 |
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行政官访谈： Brian P. Balut，TriQuint半导体（微波杂志，网络版，07年12月) |
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11/07 |
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无线手机革命正在继续 （英文，中文） |
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10/07 |
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化合物半导体的未来 |
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10/07 |
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毫米波前端技术的发展趋势 |
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09/07 |
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PHEMT技术应对宽带陷技术要求的挑战 |
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09/07 |
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针对3G和4G放大器应用的高压高效异质结双极晶体管 |
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06/07 |
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具有杰出性能和耐用性的高速场效应晶体管 |
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05/07 |
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简化针对微波点对点和卫星地面站终端的射频设计 |
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05/07 |
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移动WiMAX技术带来便携的宽带无线接入 |
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05/07 |
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应用于车载雷达的高性能和低成本的砷化镓微波集成电路方案 |
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02/07 |
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体声波技术的产业化：十诫与七宗罪 |
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01/07 |
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应对高效EDGE应用的6X6mm四波段射频发射模块 |
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08/06 |
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促进毫米波集成电路开发的技术发展趋势 |
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11/01 |
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FA Leads to Proper ESD Tests |
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08/01 |
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Volume Impacts on GaAs Reliability Improvement |
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12/92 |
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Lifetesting GaAs MMICs Under RF Stimulus (EXPANDED) |
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08/90 |
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Reliability Prediction: The Applicability Of High Temperature Testing |
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07/88 |
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Studying Lifetimes and Failure Rates Of GaAs MMICs |
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产品介绍