针对移动设备应用的线性功率放大器和发送模块
中国上海2010 IEEE国际固态集成电路技术会议（ICSICT）论文。
作者：Wen Chen, Haitao Zhang, Mike Cardullo, Andy Forbes, Ting Xiong, Ray Pavio，演讲人：Wen Chen
3G / 4G移动系统中的先进调制格式的需求促使功率放大器线性度提高。对于当今多功能性能和出色的外观设计智能手机来讲，对功率放大器模块的尺寸和电流损耗要求越来越苛刻。这篇文章主要讨论了一些线性功率放大器模块市场趋势和技术挑战。同时，还介绍了TriQuint公司其他解决方案，包括Tritium™功率放大器和双工器模块（PAD）系列，Triton™功率放大器模块（PAM）系列和手机WLAN前端模块（FEM）。top

高可靠性GaN场效应晶体管
法国巴黎2010年欧洲微波周论文
作者Jose Jimenez，演讲人Anthony Balistreri
本文介绍了TriQuint研发GaN技术理由以及TriQuint的GaN技术，同时探讨了GaN可靠性面临的挑战。top

可调声射频 (RF) 滤波器：要求及实现的可行性初探
法国巴黎2010年欧洲微(EuMW)波周论文
Robert Aigner
多波段/多模式手机需要复杂的射频前端架构，元器件数量之多已到了增加开关和完整信号分支电路，不再是成本效益的方式。大部分有源器件的工作频谱范围相当宽，能够利用一个并在同一电路中覆盖多个波段。但现有射频滤波器和双工器不行，它们有很高的频率选择性，但仅限于固定频段工作。因此需要开发一种技术，利用电控输入将窄带滤波器调整到所需中频。top

适用于天线开关模块的高隔离低损耗SP7T pHEMT开关
法国巴黎2010年欧洲微波周论文
Michael D. Yore, Corey A. Nevers, Philippe Cortese
本文探讨蜂窝移动电话高性能SP7T GaAs pHEMT开关的设计、组装和测量。这种天线开关设计采用先进的E/D模式pHEMT工艺，Ron*Coff乘积性能指数为145 Ohm-fF。所有蜂窝波段宽带接入损耗测量值低于0.5dB，隔离度大于32dB，同时保持极低的谐波失真。特定波段配用开关0.915 GHz频段接入损耗为0.35dB，1.95 GHz频段为0.4dB。 top

宽带大功率GaN基SiC SPDT开关MMIC
加利福尼亚州阿纳海姆2010年IEEE MTT-S国际微波会议论文
Charles F. Campbell and Deep C. Dumka
本文介绍三种采用SiC基GaN技术的宽带PDT开关MMIC的设计和性能。这些电路的频率范围分别为DC-6 GHz、DC-12 GHz和DC-18 GHz，输入功率专门针对特定带宽加以优化。固定s-参数测量数据显示，6 GHz、12 GHz和18 GHz电路设计的最大接入损耗分别为0.7 dB、1.0 dB和1.5 dB。连续波功率测量数据显示，6 GHz、12 GHz和18 GHz MMIC的典型RF输入功率分别为40 W、15 W和10 W。top

采用SiC基GaN的宽带功率放大器MMIC
加利福尼亚州阿纳海姆2010年IEEE MTT-S国际微波会议论文
Eli Reese, Donald Allen, Cathy Lee, and Tuong Nguyen
本文介绍SiC基GaN技术应用于宽带功率放大器MMIC，对SiC基GaN技术应用于无功匹配分布宽带电路独特的特性进行了探讨，包括与GaAs技术的对比。同时，以2 – 18 GHz 11W功率放大器MMIC为例进行了说明。top

第二代高效基站功放高压异质结双极型晶体管技术
加利福尼亚州阿纳海姆2010年IEEE MTT-S国际微波会议论文
Thomas Landon, Joe Delaney, Craig Steinbeiser, Oleh Krutko, Roger Branson, Rached Hajji, Preston Page, Sam Wey, Craig Hall, 和 Larry Witkowski.
本文介绍为基站大功率放大器和多级驱动放大器开发的新一代高压异质结双极型晶体管(HVHBT)技术。这一技术改进了前代InGaP/GaAs HBT，工作电压达32 V。第二代HVHBT技术具有与数字预失真 (DPD) 技术同样高的效率和兼容性，同时提高了增益、功率密度，以及负载失配和输入电压过驱动耐受能力。采用第二代HVHBT技术开发的120 W和220 W分立功率晶体管支持2.1 GHz WCDMA/LTE应用。2x120 W和2x220 W Doherty功率放大器增益达到14 dB，6 dB衰减效率优于55%。top

60 GHz无线HDMI (WPAN) 功率放大器
(美国)加利福尼亚州阿纳海姆2010年IEEE MTT-S国际微波会议，微波应用研讨会论文
Ken Mays与Michael Thompson，© 2010 TriQuint Semiconductor, Inc.版权所有，22张幻灯片
本文论证完整的MMIC ADS桌面设计流程，演示TriQuint公司TQP13-N工艺的生产能力。top

40 GHz功率放大器低成本大批量0.15 µm光刻pHEMT工艺投产
以色列特拉维夫IEEE COMCAS 2009论文
Ken Mays，2009年10月，5页
用于低成本微波和毫米波电路的40 GHz功率放大器，已采用最新0.15 um光刻pHEMT生产工艺实现量产。Ka和V波段多种市场需求需要更高带宽的低成本集成电路加以支持。本文以40 GHz功率放大器为例，从固态功率放大器最初设计到组装和测量，对这一工艺的生产能力进行了全面论证。top

SiC基片刻蚀工艺优化
佛罗里达州坦帕2009年化合物半导体制造技术国际会议 (CS Mantech) 论文
Ju-Ai Ruan, Sam Roadman, Cathy Lee, Cary Sellers, Mike Regan, 2009年5月, 3页
在各种射频等离子功率条件下，对GaN的SiC刻蚀速率和刻蚀选择性进行了研究。增加线圈射频功率可以适当提高刻蚀速率和刻蚀选择性。增加电热板射频功率也可以提高刻蚀速率，但刻蚀选择性会下降。在线圈射频功率下降到某一极限时，观察了实际凸起的形成。同时，研究了SiC刻蚀过程中，改变加工条件下，凸起的形成状态，并探讨减少凸起形成的方法。我们注意到，正确修改刻前清理和刻蚀工艺，可以避免形成系统化凸起。top

介质等离子体刻蚀源对pHEMT器件性能的影响
佛罗里达州坦帕2009年化合物半导体制造技术国际会议 (CS Mantech) 论文
F.S. Pool, Andrew T. Ping和Michele Wilson, 2009年5月, 3页
将电阻金属沉积前氧化电解刻蚀的变压器耦合等离子体源，转变为射频螺旋波高密度等离子体源，可以提高PHEMT器件的参数性能。加工稳定性和一致性的提高，有助于以更宽的加工窗口提高产量。器件接触电阻、导通电阻和跨导等参数得到显著改善。通过检查表面损伤，研究了不同刻蚀源的评估结果。top

采用光刻技术的0.25 µm AlGaAs/InGaAs E/D pHEMT量产工艺
佛罗里达州坦帕2009年化合物半导体制造技术国际会议 (CS Mantech) 论文
Corey Nevers, Andrew T. Ping, Tertius Rivers, Sumir Varma, Fred Pool, Moreen Minkoff, Ed Etzkorn, Otto Berger, 2009年5月, 4页
TriQuint开发出150 mm量产0.25 µm增强/耗尽 (E/D) 型赝晶高电子迁移率 (pHEMT) AlGaAs / InGaAs晶体管生产工艺。最新推出的TQP25采用侧壁间隔技术实现了栅长0.25 µm的目标，填补了TriQuint公司TQPED (0.5 µm)和TQP13 (0.13 µm) pHEMT工艺之间的空白。典型耗尽型场效应晶体管 (DFET) 参数包括50 GHz一致的电流增益截止频率 (Ft)、-900 mV夹断电压、550 mA/mm Imax (Vgs = 0.9V)、1.0 W- mm导通电阻和12 V击穿电压。同时，本文介绍的TQP25工艺包括通常不属于这个技术节点之列的增强型场效应晶体管 (EFET)。EFET标称参数包括45 GHz Ft、300 mV临界电压、1.3 W-mm导通电阻和12 V最小击穿电压。无源器件包括两个薄膜电容选件 (50 W/均方根和1KW/均方根)、0.62 fF/µm2 MIM电容、一个本地蒸发互连层和一个球形平面喷镀金属层。TQP25可供设计人员从蜂窝波段到Ku-波段开发各种应用的电路。 top

高线性40 W，28V InGaP/GaAs HBT
佐治亚州亚特兰大2008年国际微波会议 (MTT-S) 论文
Wenlong Ma, Xiaopeng Sun, Peter Hu, Jingshi Yao, Barry Lin, Hin-Fai Chau, Louis Liu和 Chien-Ping Lee, 2008年6月, 4页
本文介绍40W高线性InGaP/ GaAs 28V HBT。该器件采用TriQuint-WJ开发的高击穿电压、高可靠性HBT生产工艺。这款器件采用动态偏置电路，改进了各种WCDMA调制状态的邻道泄漏比 (ACLR)。在增益约为14.5dB的条件下，器件的P-1dB达到46dBm (40W)。采用WCDMA单路载波调制 (PAR=8.5dBc) 时，器件ACLR可达到 -50dBC，920-960MHz频段输出功率为37.5dBm (5.6W) 时，效率可达19.5%。这种器件不必采用DPD，是基站和转发器应用的理想选择。top

28V HVHBT可扩展高功率非线性HBT模型
佐治亚州亚特兰大2008年国际微波会议 (MTT-S) 论文
Xiangkun Zhang, Frank Chau, Barry Lin, Xiaopeng Sun, Wenlong Ma, Peter Hu, Jingshi Yao和 Chien-Ping Lee, 2008年6月, 4页
本文介绍用于28V InGaP/GaAs HBT构件 (1BB)的可扩展非线性HBT模型。这个模型以AgilentHBT (AHBT)为基础。构件包括32射极功率HBT、预匹配输入电路和用作相关偏压电路射极跟随器的晶体管。1BB构件的P1dB为32.5dBm。这个模型不仅可以模拟直流 (DC)、热量、结电容、S-参数，而且可以模拟RF功率、增益、IM3、工作电流和集电极效率。模拟和测量结果可达到极为一致的水平。这个模型可利用多样化参数精确预测两个构件 (64射极功率，P1dB为35.7dBm)，以及四个构件 (128 射极功率，P1dB为38.2dBm) 的直流和非线性RF性能。top

实现零故障–减少缺陷的方法
马里兰州巴尔的摩2001年GaAs REL研讨会
Bill Roesch, 2001年10月, 6页
本文总结了提高质量的方法并列举了十例改进。top

数量和质量对可靠性的影响：GaAs新规则
华盛顿州西亚图2000年GaAs REL研讨会
Bill Roesch, 2000年11月, 5页
本文介绍了实际应用中出现可靠性故障的原因以及提高可靠性的措施。同时，提供数量对于确定故障根源的作用，以及纠正措施的调查结果。top

GaAs射频集成电路 (RFIC) CDM ESD 损伤失效分析
华盛顿州贝尔维尤2000年国际失效分析暨测试研讨会论文
Amy Poe, Steve Brockett和Tony Rubalcava, 2000年11月, 6页
本文介绍了元件充电模式 (CDM) 静电放电 (ESD) 测试对射频器件的重要性。同时，介绍了激光感应延迟采用的新颖剥层分析技术，以及各种静电放电措施。top

采用电解法评估电路密封性
华盛顿2000年国际GaAs制造技术会议 (GaAs Mantech) 论文
本文介绍提高电路密封性的纠正措施计划。目的是快速提供湿度偏压测试环境下，性能改进的实验反馈结果。在对器件表面直接加水的条件下，采用电流 (电解) 快速评估密封性。发现器件结构的缺点，利用电解技术评估有效解决方案。 top

耐湿GaAs IC：突破5,000 PPM障碍
路易斯安那州新奥尔良1993年政府微电路应用会议论文
Bill Roesch与Bharati Ingle, 1993年11月, 3页
本报告总结了132针多层陶瓷外壳封装及定制GaAs ASIC器件的工程测试结果。测试在超出任何正常使用环境的最恶劣条件下进行。测试结果证明，高湿度未影响GaAs器件电性能或外观。top

热偏差加速因素
佐治亚州亚特兰大1999年GaAs REL研讨会论文
Bill Roesch, 1998年10月, 5页
本文说明加速失效机理是热偏差，而不是高温造成的。本文说明失效机理并调查了加速失效的因素。top

晶圆厂重建过程中工艺可靠性认证经验
佐治亚州亚特兰大1998年GaAs REL研讨会论文
Bill Roesch, Susan Bumgarner, Lita O. Monaghan, Tony Rubalcava, Denise Riley, Donna Cruse, Jim Cartwright, 1998年10月, 4页
本文介绍作为新厂认证的一部分，可靠性评估的方法、实施和结果。top

砷化镓IC可靠性
加利福尼亚州蒙特雷国际可靠性物理年会论文集
Bill Roesch, 1988年4月, 12页
本文介绍MesFET IC可靠性技术。内容包括耐热、失效机理、封装、GaAs失效分析、静电放电 (ESD) 和辐射。同时，介绍提高可靠性的系统化方案，GaAs IC可靠性一般等级划分。与硅技术进行比较。 top

用光辐射为工具分析GaAs IC
Presented at the 1996 GaAs REL 学术交流会, Orlando, FL
Bill Roesch, October 1996, 4 pages.
本文说明如何利用光辐射显微技术分析GaAs IC特性、退化和磨损过程。top

GaAs IC塑封可靠性
加利福尼亚州圣迭戈1995年GaAs REL研讨会
Bill Roesch, 1995年10月, 6页
本系列调查论证GaAs IC技术塑料封装可靠性下降抵抗力。例如，采用极端恶劣情景，检查高湿环境下的完整抵抗力。同时，作为确立行业封装认证测试标准的一部分，论证典型封装评估测试。top

氢对GaAs MesFET的加速影响
宾西法尼亚州费城1994年GaAs REL研讨会
Bill Roesch, 1994年10月, 6页
多项实验表明，在加速温度条件下，氢气含量达到中度到高度时，MesFET产生明显变化。这种变化与过去报告的GaAs器件氢气退化相反。变化时间明显长于报告的氢气退化结果。top

GaAs IC耐湿性
宾西法尼亚州费城1994年GaAs集成电路会议论文
Bill Roesch, 1994年10月, 4页
潮湿对GaAs结构可靠性影响系列调查得出的结论是，GaAs器件耐受潮湿造成的退化影响。本文证明，GaAs器件适于低成本非密封封装，在加速潮湿条件下，GaAs IC可靠性优于硅器件。top

GaAs IC可靠性等级认证
马萨诸塞州牛顿高级微电子认证/可靠性研讨会论文
Bill Roesch, 1994年8月, 3页
为保证充分认证IC，需要开发新方法。本文介绍GaAs器件可靠性几个值得关注的问题，同时探讨了多种可靠性认证方案。top

测量GaAs温度：循环试验结果
加利福尼亚州圣荷塞1993年GaAs REL研讨会论文
Bill Roesch, 1993年10月, 4页
专门设计的热测试晶片分发给13家感兴趣的公司测量GaAs耐热性。结果表明，采用GaAs器件进行实验的公司均未测得热阻。top

GaAs IC可靠性，下一代理念
加利福尼亚州圣荷塞1993年GaAs集成电路会议论文
Bill Roesch, 1993年10月, 4页
本文专门从历史角度证明，人们在GaAs MesFET可靠性方面思考方式的变化。文中对硅片可靠性记录，以及新老概念进行了对比。top

GaAs IC老化实验
佛罗里达迈阿密滩1992年GaAs REL研讨会论文
Bill Roesch, 1992年10月, 2页
本文通过以下四个方面的数据说明明不应对GaAs IC进行老化实验：1) GaAs器件不会出现前期失效，2) GaAs与Si IC失效机理不同，3) 老化缩短GaAs寿命，及4)老化降低GaAs机械质量。top

GaAs IC可靠性反馈结果：过度使用问题
佛罗里达迈阿密滩1992年GaAs REL研讨会论文
Bill Roesch, Tony Rubalcava和Ross Winters, 1992年10月, 4页
器件应用作为影响可靠性的一个因素在很大程度上被忽视。本文通过多方面实验现场反馈结果调查应用的影响。文中总结了为期六年可靠性反馈结果，说明应注意GaAs IC应用对于可靠性产生的影响。 top

评估GaAs基片加工可靠性
德克萨斯州圣安东尼奥1992年GaAs制造技术国际会议 (GaAs MANTECH) 论文
Bill Roesch, 1992年4月, 4页
这些实验结果表明，湿法刻蚀和激光钻孔不会因热循环和热震动造成机械损伤。新型结构在检测裂纹方面很成功，并适合用于评估过度刻蚀。top

旁栅效应对GaAs MesFET的长期影响
加利福尼亚州圣迭戈1992年国际可靠性物理年会论文
Hema Cholan, Douglas Stunkard, Tony Rubalcava, 1992年3月, 5页
旁栅效应阻碍GaAs器件广泛实施VLSI。通过多种加工和设计变化，对MesFET整个生命周期抗旁栅效应进行实验。最终证明，旁栅效应不会随器件磨损而恶化。top

GaAs热测试晶片新型电路设计
加利福尼亚州蒙特雷1991年GaAs REL研讨会论文
Bill Roesch, 1991年10月, 4页
采用热测试晶片评估IC封装。这种电路包括多种新功能，如加热器和功耗元件阵列。这种阵列明显优于采用少量大型加热电阻器的设计，例如在晶片连接或封装材料空洞或异常检测方面。 top

调查低活化能失效机理
华盛顿州西雅图高级微电子技术认证、可靠性与物流研讨会论文
Bill Roesch, 1991年8月, 4页
本项研究通过六种不同方法说明是否存在低活化能的可能。数百万小时测试和现场反馈分析结果表明，砷化镓器件未必存在低活化能失效机理。 top

GaAs IC老化测试：能否600美元搞定？
华盛顿州西雅图高级微电子技术认证、可靠性与物流研讨会论文
Richard Allen, Brian Bird和Patrick Hamilton, 1991年8月, 6页
本文介绍为期九个月的100%老化项目结果。提交筛选的数字GaAs IC达5000多个。本文从经济角度考虑老化实验，提出一种权衡100%老化实验成本效益的通用评估方法。top

加速测试预测GaAs可靠性
内华达州里诺制造技术国际会议特约论文
Bill Roesch与Richard Allen, 1990年4月, 1页摘要
本摘要简要探讨采用MIL-HDBK-217的问题。 top

GaAs IC塑料封装可靠性
内华达州里诺制造技术国际会议论文
Bill Roesch, Tony Rubalcava和Bharati Ingle, 1990年4月, 4页
本项研究总结GaAs FET与IC塑料封装初步可行性评估。这些初步评估结果表明，GaAs器件加工可以采用塑料封装，能够抵抗受潮和热偏差。top

GaAs MMIC放大器生产方法可靠性特性及测试结果
田纳西州纳什维尔GaAs REL研讨会论文
Michael F. Peters与Tony Rubalcava, 1988年11月, 2页
本文详细说明GaAs MMIC可靠性预测方法及可靠性测试结果。本文内容包括高频/高温加工、热分析、步进应力试验、加速寿命试验、ESD测试、辐射测试、封装测试和失效分析。top

GaAs IC热与可靠性之间的关系
田纳西州纳什维尔GaAs IC会议论文
Bill Roesch, 1988年11月, 4页
热传导和失效机理是确定GaAs IC工作可靠性的主要参数。本文探讨了液晶、二极管压降和红外温度测量技术。 top

MesFET基GaAs IC没有潜伏和累积ESD效应
加利福尼亚州EOS/ESD会议论文
Tony Rubalcava与Bill Roesch, 1988年9月, 3页
本项研究论证GaAs IC结构不存在或没有ESD脉冲累积效应。研究结果表明，GaAs优于MOSFET基硅IC，后者易受潜在损害导致退化或现场失效。top

元件测试验证GaAs可靠性
田纳西州纳什维尔制造技术会议论文
Bill Roesch与Doug Stunkard, 1988年11月, 5页
本项研究证明可采用元件测试检验GaAs电路可靠性。本文以浓缩方式提供4,241个欧姆接触、薄膜电阻、金属互连和MesFET数据。同时提供IC相关数据。 top

耗尽型GaAs IC可靠性
俄勒冈州波特兰GaAs IC会议论文
Bill Roesch与Michael F. Peters, 1987年10月, 4页
本文介绍数字MSI和MMIC可靠性测试结果，说明元件测试相互关系。通过IC与元件中值寿命对比论证集成与可靠性之间的非线性关系。说明器件GaAs可靠性一般随时间推移而变化。top

静电放电对GaAs IC的影响
内华达州拉斯维加斯EOS/ESD会议论文
Anthony L. Rubalcava, Douglas Stunkard和Bill Roesch, 1986年9月, 7页
本文说明ESD对每个GaAs电路元件影响的详细调查结果。评估时，采用人体模型ESD模拟器。对近300种不同的GaAs结构施加高于8,000 zap的静电放电电压。实验结果得出八种结论。top

1微米耗尽型IC MesFET可靠性调查
加利福尼亚州阿纳海姆可靠性物理年会论文
Dominic Ogbonnah与Arthur Fraser, 1986年4月, 6页
本文介绍MesFET测试结果，详细分析并确定失效机理。同时，探讨了前期加速寿命试验。top

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