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| 频率(GHz) | 功率(dBm) | 增益(dB) | NF/PAE | +V | IQ(mA) |
|---|---|---|---|---|---|
| 27-31 | 30 | 22 | - | 6 | 420 |
产品特性
- 22 dB nominal gain @ 30 GHz
- 30 dBm nominal Pout @ P1dB
- 25% PAE @ P1dB
- -10 dB nominal return loss
- Built-in power detector
- 0.25-um mmW pHEMT 3MI
- Bias conditions: Vd = 4 - 6 V, Idq = 420 mA
- Chip dimensions: 2.44 x 1.15 x 0.1 mm (0.096 x 0.045 x 0.004 in)
典型应用
- LMDS
- Point-to-Multipoint Radio
- Point-to-Point Radio
- Satellite Ground Terminals
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其它信息
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