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| 频率(GHz) | 功率(dBm) | 增益(dB) | NF/PAE | +V | IQ(mA) |
|---|---|---|---|---|---|
| 33-36 | 31 | 17 | - | 6-7 | 880 |
产品特性
- 0.25 um pHEMT technology
- 17 dB nominal gain
- 31 dBm Pout @ P1dB
- Psat 33dBm @ 6V , 34dBm @7V
- Bias 6 to 7 V @ Iq = 880 mA, Id = 1.3 A at Psat
- Chip dimensions: 4.13 x 3.30 x 0.1 mm
典型应用
- Ka Band Satellite Communications (Satcom)
- Military Radar Systems
- Point-to-Point Radio
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其它信息
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