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工艺简介

工艺类型 特性 TriQuint 工艺名称 晶圆尺寸 状态
pHEMT 0.5µm E/D Mode FETs – Mixers, LNAs, Switches TQPED 150 mm Full
0.25µm E/D Mode FETs – Switches & Amplifiers TQP25 150 mm Advanced Info
0.15µm D-Mode – mmW Amplifiers TQP15 150 mm Advanced Info
0.13µm Low Noise TQP13-N 150 mm Full
Highest Power pHEMT Density 0.35µm PWR pHEMT 3MI 100 mm Full
High Power Through 50 GHz 0.25µm mmW pHEMT 3MI 100 mm Full
High Power Through 20 GHz 0.25µm XKu pHEMT 3MI 100 mm Full
Higher power density through 80GHz 0.15-µm PWR pHEMT 3MI 100 mm Full
mHEMT Very low noise 0.15-µm LN mHEMT 3MI 100 mm Full
MESFET Enhancement & Depletion Mode FETs TQTRx 150 mm Full
Depletion Mode FET TQHiP/HA2 150 mm Full
Heterostructure FET High linearity 0.5-µm HFET 2MI 100 mm Full
InGaP HBT InGaP HBT 3 Metal TQHBT3 150 mm Full
BiHEMT Integrated E/D pHEMT & HBT TQBiHEMT 150 mm Limited
GaN Highest Power Density 0.25µm GaN on SiC 3MI 3 inch Full
Vertical PIN Diode Low loss switches VPIN 2MI 100 mm Full
Passives Integrated Passives TQRLC 150 mm Full

 

先进的信息处理


TQP15

0.15um光栅自对准耗尽型pHEMT工艺采用高密度电容、epi电阻、薄膜电阻(TFR)和封装在高性能电介质材料中的两层金属互联层。TQP15含有一个85GHz的典型Ft和一个1.0V的夹断电压。TQP15非常适合Ka和Ku波段功率放大器。

应用：VSAT、卫星通信、无线电
 

 TQP25

0.25um光栅自对准耗尽型pHEMT采用高密度电容、epi电阻、薄膜电阻(TFR)和封装在高性能电介质材料中的两层金属互联层的0.35um光栅 增强型pHEMT工艺。TQP25含有一个45GHz的典型Ft和一个0.9V的夹断层电压。TQP25非常适合Ku波段功率放大器和高峰值、高线性开 关。

应用：无线电、WiMAX、WCDMA和中等功率放大器


有限版工艺

TQBiHEMT

0.7 um TQPED和TQHBT3.1工艺专门为极为苛刻工作环境下的大功率应用而设计。主要用于集成功率放大器与线性、低损耗和高度绝缘的RF开关应用、变频器和集成式RF前端。三重金属互连层封装在高性能电介质材料中，便于提高布线灵活性、优化晶片尺寸并简化塑料封装。精密NiCr电阻和大容量MIM电容可提高集成度，同时保持小型、经济高效的晶片规格。


完全版工艺
 

TQRLC

高密度、多层互连低成本无源工艺。四层互连系统总厚度为9微米，支持甚高Q值电感器。同时，还可封装精密镍铬电阻和MIM电容。

应用: 匹配电路、变压器和不平衡变压器
 

TQTRx

高级0.6微米增强/耗尽型MesFET工艺采用集成式功率MesFET和三重全局金属互连层。这种工艺支持Ku波段RF应用和LSI复杂电路的混合型应用。三重金属层封装在高性能层间电介质中，极大地提高了布线灵活性并简化塑料封装。同时包括精密镍铬电阻和超大容量MIM电容。

应用: 无线收发器
 
   
TQHiP

耗尽型MesFET工艺金属层厚度6.3微米。这种工艺是通用RF模块制程。同时还可封装精密镍铬电阻和大容量MIM电容。MesFET可调谐到功率放大器和开关电路最大饱和电流和功率输出。

应用: 功率放大器和开关电路
 
 
TQHBT3

TriQuint新型TQHBT3工艺是高可靠性InGaP HBT制程，采用三重互连金属层，具有先进的器件性能。多层金属互连和高质量无源元件有助于集成。增强热管理的多层金属互连，以及高密度电容有助于设计微型晶片。MOCVD外延工艺用于延伸有源层。采用渗碳基级和InGaP发射极提高RF性能和可靠性。3-um发射极宽度设计与以前2-um发射极性能相同，但加宽发射极具有更高的可靠性和恶劣工作环境下的稳定性。同时包括精密NiCr电阻和大容量MIM电容。三重金属层封装在高性能电介质材料中，便于提高布线灵活性并简化塑料封装。
 
 
TQPED

0.5微米光栅增强与耗尽型pHEMT工艺采用三重全局金属互连层。三重金属层封装在高性能层间电介质中，极大地提高了布线灵活性并简化塑料封装。同时包括精密镍铬电阻和超大容量MIM电容。

应用: 与数字逻辑、低噪声放大器、功率放大器和集成式收发器集成的开关电路
 

TQP13-N

0.13um光栅自对准耗尽型pHEMT工艺采用高密度电容、epi电阻、薄膜电阻(TFR)、两重金膜互连。TQP13-N典型Ft为95GHz，用于V波段汽车雷达，以及高频点对点无线电通信应用。

应用: 直播卫星(DBS) LNB和下变频器、汽车雷达、卫星通信、低噪声点对点无线LNA

 

100-mm 生产工艺

0.5-µm异构 FET (HFET)

0.5-µm异构FET (HFET)工艺是一种适用于20 GHz应用的耗尽型2MI制程。HFET I-V具有大功率、高线性、优异跨导一致性和击穿电压高等特点。无源电路包括2重金属互连层、精密TaN电阻、GaAs晶体管、MIM电容和多层过孔。电容下过孔工艺有助于缩小尺寸，具有出色的高频接地能力。

应用: 功率放大器、限幅放大器、数字与模拟移相器、数字与模拟衰减器、混频器、多路复用器、开关和振荡器
 
 
垂直P-I-N型二极管(VPIN)

垂直P-I-N型 (VPIN) 二极管工艺是适用于低损耗限幅器、开关管和移相器的出色制程。TriQuint采用这种工艺生产的开关管具有大功率处理能力、低导通状态电阻和低关闭状态电容。这种PIN二极管元件截止频率更高，使得这种开关管特别适合用于宽带电子组件和通信系统。无源电路包括2重金属互连层、精密TaN电阻、GaAs晶体管、MIM电容和多层过孔。电容下过孔工艺有助于缩小尺寸，具有出色的高频接地能力。

应用: 低损耗限幅器、开关和移相器
 
 
3重金属互连无源(3MI)工艺

以下描述了3MI无源工艺可以对每个100-mm处理。采用曲线和其他复杂形状的设计规则给高功率电路设计师带来了无与伦比的灵活性。精密电阻和电容，还包括TriQuint德克萨斯公司经过配置的电容（为了减少不必要的寄生电抗和裸片面积）。不过，这种工艺提供更小的线宽和空间，更小的开板空尺寸，更高的pF/mm2容量，以及3重金属层互连层。所有的这些提高工程师的改进，更进一步的减少芯片尺寸和模具成本。
 
 
0.15-µm PWR pHEMT 3MI

0.15-µm功率pHEMT 3MI工艺提高功率密度和每级增益性能。适用于80 GHz以下应用。0.15-µm PWR pHEMT 3MI工艺在生产低噪声放大器、限幅放大器、驱动放大器、差分放大器和互阻放大器时具有优异表现。电容过孔工艺有助于缩小尺寸，具有出色的高频接地能力。

应用: 低噪声放大器、驱动放大器、功率放大器、数字与模拟移相器、混频器、移位器、多路复用器
 
 
0.15-µm LN mHEMT 3MI

0.15-µm LN mHEMT 3MI工艺采用T型栅结合mHEMT金属层结构，专门优化低噪声特性，适用于100 GHz以下应用。TriQuint Texas工艺生产的这些耗尽型晶体管噪声达到最低水平，并具有很高的增益。0.15-µm mHEMT 3MI工艺在低噪声放大器、小信号增益模块放大器、驱动放大器、宽带数据放大器和互阻放大器生产中具有出色表现。电容过孔工艺有助于缩小尺寸，具有出色的高频接地能力。

应用:功率放大器、低噪声放大器、数字与模拟移相器、数字与模拟衰减器、限幅器、混频器和多路复用器

0.25-µm mmW pHEMT 3MI

0.25-µm XKu pHEMT 3MI工艺采用T型栅结合pHEMT金属层结构，专门优化20 GHz以下大功率、低噪声特性。在X波段频率和相似偏压条件下，这种工艺的功率密度和增益与0.25-µm mmW pHEMT工艺相同。但0.25-µm XKu pHEMT具有更高的击穿电压，因此可以加大偏置电压，进一步提高功率密度。无源电路包括3重金属互连层、精密TaN电阻、GaAs晶体管、多层过孔和3 MIM电容密度。电容下过孔工艺有助于缩小尺寸，具有出色的高频接地能力。空气桥减小互连电容。3MI保护涂层保证环境稳定性。

应用: 功率放大器、低噪声放大器、数字与模拟移相器、数字与模拟衰减器、限幅器、混频器和多路复用器

 
0.25-µm XKu pHEMT 3MI

0.25-µm XKu pHEMT 3MI工艺采用T型栅结合pHEMT金属层结构，专门优化20 GHz以下大功率、低噪声特性。在X波段频率和相似偏压条件下，这种工艺的功率密度和增益与0.25-µm mmW pHEMT工艺相同。但0.25-µm XKu pHEMT具有更高的击穿电压，因此可以加大偏置电压，进一步提高功率密度。无源电路包括3重金属互连层、精密TaN电阻、GaAs晶体管、多层过孔和3 MIM电容密度。电容下过孔工艺有助于缩小尺寸，具有出色的高频接地能力。空气桥减小互连电容。3MI保护涂层保证环境稳定性。

应用: 功率放大器、低噪声放大器、数字与模拟移相器、数字与模拟衰减器、限幅器、混频器和多路复用器
 

0.35-µm Power pHEMT 3MI

0.35-µm功率pHEMT 3MI工艺采用三角栅结合pHEMT金属层结构，在不影响效率和增益的情况下，可使20 GHz以下TriQuint pHEMT制程达到最高功率密度。这种工艺的漏电压处理能力最高可达12V。无源电路包括3重金属互连层、精密TaN电阻、GaAs晶体管、多层过孔和3 MIM电容密度。电容下过孔工艺有助于缩小尺寸，具有出色的高频接地能力。空气桥减小互连电容。3MI保护涂层保证环境稳定性。

应用: 功率放大器、低噪声放大器、数字与模块移相器、数字与模拟衰减器、限幅器、混频器和多路复用器


0.25µm GaN on SiC 3MI

The 0.25µm Gallium Nitride (GaN) 3MI (3-metal interconnect process) on Silicon Carbide (SiC) combines high power density, excellent thermal conductivity and high gain performance for operation through 18 GHz. Passives include 3 thick metal interconnect layers, precision TaN resistors and 3 MIM capacitor densities. Through-substrate vias offer excellent grounds at higher frequencies; air bridges produce minimal interconnect capacitance. The 3MI protective overcoat layer provides environmental robustness.

Applications: High power and high frequency (up to 18 GHz) wideband and narrowband PAs for radar and communications in defense, space and non-military systems.