产品介绍射频技术创新
TriQuint在砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、声表面波(SAW)以及体声波(BAW)技术的开发、改进以及生产方面处于业界领导地位。
- 砷化镓(GaAs)可以在更高的击穿电压，频率超过250GHz的情况下更有效地工作，并且产生的噪声相对于其它技术更低。
- 氮化镓(GaN)提供更高的功率处理能力、更高的线性以及可以用更少、更小的器件工作在给定的功率电平，产生的热量更少进而降低了整个系统的体积和器件数量。
- 声表面波(SAW)在2.5GHz频宽内提供优越的性能并且成本较低。
- 体声波(BAW)在频率从2.5-6GHz甚至更高的条件下，提供较低的损耗、更强的ESD性能以及对温度效应更大的抵制能力。
TriQuint自有的技术组合在整个业界是最具规模的，使得我们可以为客户提供高集成度的模块包括有源和无源射频元器件。由于这些是自有的技 术，TriQuint独特的工程团队可以制造出相对于其它方式能更有效地匹配收发器、基带元器件的器件。这在增强性能和整体可靠性的同时降低了系统设计时 间，加快了生产过程。我们的经验帮助我们提供更宽泛的分立器件组合以满足各种射频应用的需要。其他任何厂商都无法像TriQuint拥有如此广阔的技术、 能力以降低系统的器件数目，提高性能、增加价值。
多样的技术组合使得我们能够制造出高可靠性、高性能的产品。它同样意味着我们代工的客户可以充分利用我们在研究、开发以及大容量能力方面的优势。我们在150mm和100mm晶圆上提供多种工艺包括MESFET, InGaP HBT, E/D pHEMT, 以及HFET。
CuFlip™ – 一种互连技术
CuFlip（Copper Flip），是TriQuint公司专利的倒装芯片（flip chip）互连技术。CuFlip使用铜“凸焊点”代替线焊。TriQuint已经销售超过1亿颗基于CuFlip的产品。
CuFlip相比线焊的优点：
- 具有卓越的RF性能 — 铜凸点不要求信号经过环氧树脂，因此提高了性能。
- 设计灵活性 — 铜凸点可以实现更紧凑的设计并且降低了高度，从而能实现更小的器件封装并能在宽范围配置（包括超薄设计）中即插即用地放置基于CuFlip的产品。
减少材料清单 — 采用CuFlip技术降低了整体材料清单，从而缩小了CuFlip产品尺寸并减小了占用的电路板面积。- 更快实现制造和组装 — 高度一致的铜柱可以流水线组装标准表面安装组件，因为无需对每条线焊进行匹配。相应地，这缩短了周期时间并提高了吞吐量和运算量。
- 降低成本 — 这种可重复度高的工艺步骤比线焊组装的步骤少很多，因而产品生产率更高。TriQuint才能将节省的成本让利给客户。
TriQuint公司的CuFlip技术是RF设计的差异化策略。TriQuint将继续借助CuFlip工艺为客户提供尺寸更小、性能更高的RF解决方案。
| 竞争产品 使用丝焊 (6mm x 8mm) |
TriQuint 产品 使用CuFlip (6mm x 6mm) |
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